学习经历：
2002.9~2007.7 北京大学 物理系 博士 半导体光电子学
1998.9~2002.7 南京大学 强化部 学士 物理专业

工作经历：
2013.08 ~ 至 今      北京大学 信息科学技术学院 微纳电子学系 副教授
2011.08 ~ 2013.07 北京大学 信息科学技术学院 微纳电子学系 讲师
2010.01 ~ 2010.07 南京电子器件研究所 宽禁带半导体研发部 工程师
2007.08 ~ 2009.12 香港科技大学 电子和计算机工程系 博士后

研究方向：
1. GaN基材料特性、器件模拟
2. 射频GaN HEMT器件
3. Si基GaN 功率开关器件
4. GaN垂直结构二极管和三极管
5. SiC功率电子器件
6. 新材料及电子器件

软硬件条件：
1. GaN基材料外延生长用MOCVD、MBE （物理学院合作）
2. 微纳电子器件加工（北大微纳加工平台）
3. 器件测试与分析表征（完善的DC、RF、Pulse、Temperature、Optical）

欢迎对宽禁带功率电子器件感兴趣的同学与我联系！ 希望同学具有较好数理基础，如经典力学、数值计算、最优化方法等；熟练掌握python及matlab等编程工具。