《化合物半导体材料与器件》课程是面向微电子学、光电子学相关专业的研究生专业选修课程。与第一代半导体材料Si和Ge相比，化合物半导体是由两种或多种元素组成的混晶结构半导体，包括以GaAs为代表的第二代半导体材料以及以GaN为代表的第三代宽禁带半导体材料。由于优良的物理性质，近年来材料与器件发展迅速，对信息科学技术的发展和应用起了巨大的推动作用。在半导体照明、激光器、高频大功率微波器件以及电力电子功率开关领域具有广泛的用途。与传统的硅基器件相比，化合物半导体器件中存在许多新的科学和技术问题，特别从传统的第一代半导体物理到第三代宽禁带半导体物理，引入了不少新概念，出现了一些传统的半导体物理难以解释的现象。相关科学问题的研究将带动凝聚态物理、特别是半导体物理和器件物理的发展，已经在国际上发展成为一门新的交叉学科。本课程将针对化合物半导体材料和器件与传统材料与器件的差别，系统讲授化合物半导体材料和器件的特点。同时，针对国际上的研究热点和存在问题进行研读和讨论。总之，通过这门课程使学生全面了解化合物半导体材料的物理特性，如材料特点、生长过程等。在材料物理的基础上进一步学习相关微电子和光电子器件的工作原理、器件结构及输出特性。为以后开展化合物半导体材料和器件的研究工作提供必要的基础和指导。