学习经历：

2014.9-至今     北京大学前沿交叉学科研究院     博士研究生

2010.9-2014.7 吉林大学电子科学与工程学院     本科

科研简介：

研究方向为《基于大尺寸硅工艺平台的 Si 基 GaN 异质结构电子器件技术研究》。导师为北京大学产业技术研究院院长陈东敏教授，课题的联合指导老师为北京大学微电子研究所郝一龙教授和王茂俊副教授。

博士期间研究课题主要与深圳方正微电子有限公司、南方科技大学以及东莞中镓半导体公司合作，借助方正微电子有限公司 6 英寸 Si 工艺线，开发 Si CMOS 工艺兼容的适合产业化批量生产的技术方案，涉及器件隔离、Ohmic 电极、Schottky 电极，MIS 结、钝化、互联，器件布局等技术。

（1）提出的栅介质优先的工艺流程，配合良好的工艺控制，可实现大尺寸（6 寸）衬底上 90%以上的器件（MIS-HEMT）良率，器件性能达国际水平，该成果被 IEEE Transactions on Electron Devices (2018.9)接收发表。

（2）针对关键单项工艺的优化和研究也取得不错成果，针对 HEMT 场版技术和耐压的研究，被 Solid-State Electronics（2017.1）接收发表，并或 EDSSC 国际会议邀请做 Oral 报告；基于流程兼容的 ohmic 优化方案和技术被 IEEE Transactions on Electron Devices (2018.2) 接收发表；

（3）针对高压器件结构布局以及隔离区漏电抑制的研究获得中国国际宽禁带半导体会议(IFWS, 2017)会议邀请做 Poster 报告。

（4）高场下的导通电阻以及输出电流衰退，即电流崩塌效应，研究发现 GaN 表面 N 空位是器件电流崩塌的主要原因，设计通过钝化后高温氧化退火实现动态特性提升 6 倍左右，相关工作提交美国异质结器件会议（EP2DS-MSS, 2017）和日本固态器件和材料会议（SSDM, 2018），分别获 Poster和 Oral 报告邀请。

（5）Cascode 级联结构，是目前实现 GaN 开关器件增强型特性的最快速的途径。然而，其受制于驱动端的 Si 器件的特性以及封装过程中产生的寄生 RC 效应，使其无法发挥 GaN 器件的潜质。这此方面做了一些低压Si器件选型匹配和封装优化的工作，申请专利1项。

（6）除以上 GaN 相关研究外，借助合作公司——方正微电子有限公司的研发平台，还参与高压 SiC 肖特基二极管(SBD)，高压 Si 横向扩散晶体管(LDMOS)的器件设计和工艺研发项目，推动其商用化，目前该产品均已通过客户验证，进行批量生产。

（7）截至目前，基于以上研究发表论文6篇，申请专利12项（第一发明人），合作专利40⁺项。