个人简介

主要研究方向

后摩尔时代超低功耗新原理器件及其应用(隧穿器件、负电容器件等)

科研/教育经历

2017-今,助理教授、研究员、博士生导师,北京大学
2015-2017,博士后,北京大学
2010-2015,博士,北京大学
2006-2010,学士,北京大学

研究成果概况

主要从事新型超低功耗微电子器件研究,研制出多种新机理超低功耗器件,打破了国际上硅基隧穿器件的亚阈摆幅纪录,实现了国际领先的综合性能,相关成果被国际半导体技术路线指南(ITRS)引用,并与中芯国际合作研制了世界上首个基于12英寸CMOS生产线的互补隧穿器件集成技术。已发表论文60余篇,其中以第一作者身份在微电子领域顶级国际会议IEDM与VLSI上发表论文6篇。已申请专利70余项,已获得国际授权专利10余项、国内授权专利40项,部分成果转移到中芯国际。2018年获国家优秀青年科学基金项目资助,2017年入选中国未来女科学家计划(全国共4人),2016年获中国博士后科学基金“特别资助”项目资助。

主持的科研项目

  • 国家自然科学基金“集成电路3~5纳米节点器件基础问题研究”应急管理项目:新型混合机制超陡亚阈值摆幅器件研究(2019.01-2021.12)
  • 国家自然科学基金优秀青年科学基金项目:新型超低功耗微纳电子器件(2019.01-2021.12)
  • 国家自然科学基金青年科学基金项目:基于混合控制机理的新型隧穿场效应晶体管器件研究(2017.01-2019.12)
  • 中国博士后科学基金“特别资助”项目:超低功耗新型隧穿场效应晶体管结构设计与工艺集成研究(2016.06-2017.09)

主要奖励与荣誉

  • 2018年 中国电子学会青年科学家俱乐部会员
  • 2018年 北京大学女教授协会会员代表
  • 2017年 入选2017年度“未来女科学家计划”(全国共4名)
  • 2016年 博士学位论文被评为中国电子学会优秀博士论文(全国共20篇)
  • 2016年 北京大学优秀博士后荣誉称号
  • 2016年 北京大学“博雅”博士后(Boya Postdoctoral Fellowship)
  • 2015年 博士学位论文被评为北京大学优秀博士学位论文
  • 2015年 北京市普通高等学校优秀毕业生
  • 2015年 北京大学优秀毕业生荣誉称号
  • 2015年 北京大学研究生学术十杰荣誉称号
  • 2014年 北京大学信息科学技术学院学术十杰荣誉称号
  • 2012-2014学年 北京大学国家奖学金
  • 2012年 教育部博士研究生学术新人奖
  • 2012年 北京大学信息科学技术学院优秀共产党员荣誉称号
  • 2011年 北京大学TEL奖学金
  • 2010-2015学年 北京大学博士研究生校长奖学金
  • 2010-2012学年 北京大学方正奖学金
  • 2010年 第六届“挑战杯”首都大学生创业计划竞赛铜奖
  • 2010年 北京大学信息科学技术学院十佳歌手
  • 2009年 北京大学第十一届“北大科技园杯”创新创业大赛优秀团队奖
  • 2008-2009学年 北京大学“三好学生”荣誉称号
  • 2008-2009学年 北京大学“杨芙清-王阳元院士”奖学金
  • 2007-2008学年 北京大学“奇瑞21世纪东方之子”奖学金
  • 2007年 北京大学信息科学技术学院十佳歌手
  • 2007年 北京大学06级本科优秀军训生荣誉称号(军训二团护旗手)
  • 2006年 共青团北京大学委员会学术实践部学术竞赛中心杰出工作奖

部分学术报告

  • 2019年1月25-26日,中国科学院学部“科学与技术前沿论坛”——新时期半导体科学技术战略发展论坛,北京,中国科学院学术会堂,“后摩尔时代超低功耗新原理器件”,主题报告
  • 2018年12月10-11日,The 3rd Future Chips Forum: Reconfigurable Computing in a New Golden Age (第三届未来芯片论坛:可重构计算的黄金时代),北京,清华大学,“New Understanding of Negative Capacitance Devices for Low-Power Logic Applications”,特邀报告
  • 2018年11月23-25日,2018年中国电子学会第二十四届青年学术年会,北京,中央民族大学,“混合机制超陡摆幅新原理器件”,特邀报告
  • 2018年10月26-28日,2018年中国电子学会电子信息青年科学家论坛暨第二届半导体青年学术会议,郑州,“新型超低功耗超陡摆幅器件”,特邀报告
  • 2017年10月29日,2017年北京微电子研究生学术论坛,北京,中国科学院大学,“新型超低功耗隧穿器件”,特邀报告
  • 2017年1月12日,中科院“青年学术沙龙”,北京,中科院半导体所,“基于混合控制机理的新型隧穿场效应晶体管研究”,特邀报告

Selected Publications

  • Huimin Wang, Mengxuan Yang, Qianqian Huang*, Kunkun Zhu, Yang Zhao, Zhongxin Liang, Cheng Chen, Zhixuan Wang, Yuan Zhong, Xing Zhang, Ru Huang*, “New Insights into the Physical Origin of Negative Capacitance and Hysteresis in NCFETs”, in IEDM Tech. Dig., 2018, pp. 707-710.
  • Jiaxin Wang, Rundong Jia, Qianqian Huang*, Chen Pan, Jiadi Zhu, Huimin Wang, Cheng Chen, Yawen Zhang, Yuchao Yang, Haisheng Song, Feng Miao, Ru Huang*, “Vertical WS2/SnS2 van der Waals Heterostructure for Tunneling Transistors”, Scientific Reports, 8, 17755 (2018).
  • Yawen Zhang, Jiewen Fan, Qianqian Huang*, Jiadi Zhu, Yang Zhao, Ming Li, Yanqing Wu, Ru Huang*, “Voltage-Controlled Magnetoresistance in Silicon Nanowire Transistors”, Scientific Reports, 8, 15194 (2018).
  • Cheng Chen, Qianqian Huang*, Jiadi Zhu, Zhixuan Wang, Yang Zhao, Rundong Jia, Lingyi Guo, Ru Huang*, “New Insights into Energy Efficiency of Tunnel FET with Awareness of Source-Doping-Gradient Variation”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 65, no. 5, pp.2003-2009, 2018.
  • Cheng Chen, Qianqian Huang*, Jiadi Zhu, Yang Zhao, Lingyi Guo, Ru Huang*, “New Understanding of Random Telegraph Noise Amplitude in Tunnel FETs”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 64, no. 8, pp. 3324-3330, 2017.
  • Jiadi Zhu, Yang Zhao, Qianqian Huang*, Cheng Chen, Chunlei Wu, Rundong Jia, and Ru Huang*, “Design and Simulation of a Novel Graded-Channel Heterojunction Tunnel FET with High ION/IOFF Ratio and Steep Swing”, IEEE Electron Device Lett., vol. 38, no. 9, pp. 1200-1203, 2017.
  • Yang Zhao, Chunlei Wu, Qianqian Huang*, Cheng Chen, Jiadi Zhu, Lingyi Guo, Rundong Jia, Zhu lv, Yuchao Yang, Ming Li*, Ru Huang*, “A Novel Tunnel FET Design through Adaptive Bandgap Engineering with Constant Sub-threshold Slope over 5 Decades of Current and High ION/IOFF Ratio”, IEEE Electron Device Lett., vol. 39, no. 5, 2017, pp. 540-543.
  • Qianqian Huang, Rundong Jia, Jiadi Zhu, Zhu Lv, Jiaxin Wang, Cheng Chen, Yang Zhao, Runsheng Wang, Weihai Bu, Wenbo Wang, Jin Kang, Kelu Hua, Hanming Wu, Shaofeng Yu, Yangyuan Wang, Ru Huang, “Deep Insights into Dielectric Breakdown in Tunnel FETs with Awareness of Reliability and Performance Co-Optimization”, in IEDM Tech. Dig., 2016, pp. 782-785.
  • Qianqian Huang, Rundong Jia, Cheng Chen, Hao Zhu, Lingyi Guo, Junyao Wang, Jiaxin Wang, Chunlei Wu, Runsheng Wang, Weihai Bu, Jing Kang, Wenbo Wang, Hanming Wu, Shiuh-Wuu Lee, Yangyuan Wang, Ru Huang, “First Foundry Platform of Complementary Tunnel-FETs in CMOS Baseline Technology for Ultralow-Power IoT Applications: Manufacturability, Variability and Technology Roadmap”, in IEDM Tech. Dig., 2015, pp. 604-607. (http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1327958)
  • Qianqian Huang, Ru Huang, Chunlei Wu, Hao Zhu, Cheng Chen, Jiaxin Wang, Lingyi Guo, Runsheng Wang, Le Ye and Yangyuan Wang, “Comprehensive Performance Re-assessment of TFETs with a Novel Design by Gate and Source Engineering from Device/Circuit Perspective”, in IEDM Tech. Dig., 2014, pp. 335 - 338.
  • Qianqian Huang, Ru Huang, Cheng Chen, Chunlei Wu, Jiaxin Wang, Chao Wang, Yangyuan Wang, “Deep Insights into Low Frequency Noise Behavior of Tunnel FETs with Source Junction Engineering”, in VLSI Symp. Tech. Dig., 2014, pp. 88-89.
  • Qianqian Huang, Ru Huang, Yue Pan, Shenghu Tan, Yangyuan Wang, “Resistive-Gate Field-Effect Transistor: a Novel Steep-Slope Device Based on a Metal-Insulator-Metal-Oxide Gate Stack”, IEEE Electron Device Lett.,vol. 35, no. 8, pp. 877-879, 2014.
  • Qianqian Huang, Ru Huang, Shaowen Chen, Jundong Wu, Zhan Zhan, Yingxin Qiu, and Yangyuan Wang, “Device physics and design of T-gate Schottky barrier tunnel FET with adaptive operation mechanism,” Semicond. Sci. Tech.,vol.29, no. 9, pp. 095013, 2014. (IOP select)
  • Qianqian Huang, Ru Huang, Zhan Zhan, Yingxin Qiu, Wenzhe Jiang, Chunlei Wu, Yangyuan Wang, “A Novel Si Tunnel FET with 36mV/dec Subthreshold Slope Based on Junction Depleted-Modulation through Striped Gate Configuration”, in IEDM Tech. Dig., 2012, pp. 187 - 190.
  • Qianqian Huang, Zhan Zhan, Ru Huang , Xiang Mao, Lijie Zhang, Yingxin Qiu, Yangyuan Wang, "Self-Depleted T-gate Schottky Barrier Tunneling FET with Low Average Subthreshold Slope and High ION/IOFF by Gate Configuration and Barrier Modulation", in IEDM Tech. Dig., 2011, pp. 382-385.
  • Qianqian Huang, Ru Huang, Zhenhua Wang, Zhan Zhan, and Yangyuan Wang, "Schottky barrier impact-ionization metal-oxide-semiconductor device with reduced operating voltage", Appl. Phys. Lett., 99, 083507 (2011).