科研成果

[目的/意义]针对为高等教育带来巨大影响的MOOC课程及其建设理念,探讨其与高校信息素养教育相结合的契机与存在的问题,并对二者相结合的不同模式进行比较和分析。[方法/过程]通过汇总分析国内外关于高校图书馆在MOOC领域相关工作和进展的文献及案例报道,并结合自身实践,归纳出高校信息素养教育在MOOC环境下现有的和未来可能的发展方向。[结果/结论]给出并对比分析高校信息素养教育与MOOC相结合的几种可行模式,为高校图书馆更好地利用MOOC发展和推进信息素养教育工作提供更多思路。

以北京大学、中国人民大学图书馆读者为调查对象,调查读者使用多媒体设备服务的目的、方法,了解读者对多媒体设备的功能及对图书馆利用多媒体设备所提供服务的期望。结果表明,多媒体设备在读者中有很高的普及程度,已经成为读者随身携带随时利用的工具,不同的读者对多媒体设备的使用和期望略有不同。针对调查结果提出高校图书馆应该提供更新的多媒体设备,关注多媒体设备对高校读者学研的支持功能,并针对不同读者提供个性化服务。

针对学科信息素质教育面临的人手紧张和内容建设等紧迫问题,提出引入模块化的组织形式,以利于提高备课效率,增强可定制性,扩大内容覆盖面,使学科信息素质教育得以适应学科细分的形势和要求,深入有效地发展下去。

随着信息时代的到来,知识更新换代速度加快,如何培养学生自主学习能力以应对复杂的问题情境成为学校面临的挑战。翻转课堂的教学模式因为能为学生提供更多主动参与学习的机会,受到了教师的关注。2013年以来慕课的流行更是掀起了高校建设开放教学资源的热潮,为实施翻转课堂提供了契机。国内一批高校教师开始利用翻转课堂的教学模式改进教学。为描述这部分教师实施翻转课堂的现状,研究人员于2015年1月借中国大学慕课平台上开设的"翻转课堂教学法"慕课,开展了高校教师实施翻转课堂现状的问卷调查,共收回问卷995份,其中165位已开展翻转课堂实践半年以上的教师,作为本次调查的分析对象。调查从参与实践的教师的基本特征、实施行为与效果自评三个方面入手,关注从教时间与学科领域等职业特征对采纳翻转课堂教学法的影响,包括教师实施翻转课堂的动机与行为,对实施效果的自我评价以及在实施过程中遇到的困难与挑战。调查显示,翻转课堂目前处于初步发展阶段。学生个性化需求的满足与自主学习能力的培养得到了越来越多教师的重视,成为教师改进教学方式的重要动机。同时,翻转课堂教学模式作为激发学生学习动机、提升学习体验的有效方式得到了教师的肯定。此外,调查发现,翻转课堂先期实践伴随着明显的技术特征,受到新的技术与资源的推动。大多数参与调查的教师已经从资源的接受者过渡到资源的制作者,开始有意识地利用信息手段满足自己的教学需要。这意味着学校作为翻转课堂的重要推力,将会发挥越来越重要的作用。调查同时也发现,翻转课堂所需投入的时间与精力,以及技术方面支持是教师面临的重要挑战。

高校信息技术与教学的深度融合,推动高校教学模式顺应时代潮流。基于慕课开始了更为彻底的教学变革,即翻转教学。慕课问世三年以来,对全球众多高等院校的教学变革带来了方向性的影响。2012年引起全球瞩目的大规模网络开放课程在2013年初进入中国大陆,在北京大学、清华大学、复旦大学、上海交通大学等"211"高校的带动下,至2015年初,全国已建成慕课将近170门,在建慕课超过300门,仅"中国大学慕课"一家平台预告的 

研究在30°安息角的沙坡面上,单一粒径球形沙粒的运动状态。假设沙粒无滑动且碰撞时角动量守恒,则扰动沙粒经过不超过5次的滚动、抛射、再滚动后,即进入与初条件无关的周期性运动,其频率为0.39g/D（1/2）,与鸣沙流的梯度相近,临界抛射角稳定在51.2°,抛射过程沙粒自旋角速度为16 r/min。自保持的周期性决定了沙粒的整体协同运动,是鸣沙发声及频率自锁的根本原因。

<正>未来很可能存在于机器交互的界面中,但是大量的技术、伦理问题都要在人机交互的阶段解决。希望读者看到这个标题后,可以会心地一笑。就像宁财神在《龙门客栈》的一版预告片中打出"1024"的时候,草榴一族好像接收到了族人发出的暗号,激动万分——1024等于草榴,草榴等于"无尺度"、"无节制"、"无下限"的分享。

纵观2013年的慕课发展可以看出,慕课全球化态势已经凸显,慕课与正规教育结合的各类实验做法初见成效,围绕慕课的相关研究发现也在本年度小试锋芒。本文系统梳理了2013年慕课运动的4条发展路径,以此作为2013年慕课观察之总结。

In this paper, we report the device performance of a high-voltage normally off Al2O3/GaN MOSFET on the Si substrate. Normally off operation is obtained by multiple cycles of O-2 plasma oxidation and wet oxide-removal gate recess process. The recessed normally off GaN MOSFET with 3 mu m gate-drain distance exhibits a maximum drain current of 585 mA/mm at 9 V gate bias. The threshold voltage of the MOSFET is 2.8 V with a standard derivation of 0.2 V on the sample with an area of 2 x 2 cm(2). The gate leakage current is below 10(-6) mA/mm during the whole gate swing up to 9 V and the I-ON/I-OFF ratio is larger than 10(9), indicating the good quality of Al2O3 gate insulator. The MOSFET with 10 mu m gate-drain distance shows a three terminal OFF-state breakdown voltage (BV) of 967 V at zero gate-source bias with a drain leakage current criterion of 1 mu A/mm. The specific ON-resistance (R-ON,R- SP) of the device is 1.6 m Omega . cm(2) and the power figure of merit (BV2/R-ON,R- SP) is 584 MW/cm(2).